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高端MOS驱动:分立元件搭建自举电路

时间:2023-05-16 11:26来源:未知 作者:admin 点击:
高端MOS为什么要自举电路 众所周知MOS是电压型驱动,只有G极比S极高一个开启电压Vth之后,MOS才会导通(这里指NMOS)。 但是如下图,用12V给G极,但是由于R7流过 电流 的时候存在压降(

高端MOS为什么要自举电路

众所周知MOS是电压型驱动,只有G极比S极高一个开启电压Vth之后,MOS才会导通(这里指NMOS)。

但是如下图,用12V给G极,但是由于R7流过电流的时候存在压降(欧姆定律)。导致S极被抬高。所以给到MOS的驱动电压是G-S=12-8.42=3.58V。

在不是低压MOS中,一般datasheet建议使用10V,或者12V来进行驱动,虽然3.58V也能进行导通,但是导通电阻Rds会比用10V驱动时大很多。带来MOS发热的问题。

高端MOS驱动:分立元件搭建自举电路

解决的办法有很多,比如可以用一个PMOS作为高端驱动。但是由于工艺的问题,PMOS作为高端MOS,存在性能差,想达到相同的性能价格又贵很多的问题。

这时自举电路就应运而生了。如果有这么一个电路,能给G极产生一直比S极大10V的电路,即使这个电压比电源电压还要高。

分立元件搭建自举电路

高端MOS驱动:分立元件搭建自举电路

基本的概念有了,就可以用真实的电路图代替进行分析。

由于BUCK在MOS导通阶段S极是浮地的。所以必须加上自举电路来驱动。

具体分析如下:

XFG1信号发生器高电平时,Q2导通,由于Q2导通,给Q1的b极提供回路,Q1导通,经过D2和R2给MOS进行充电(Q4的b极是高电平,因为R3流过电流形成压降,所以Q4也是关闭的)。MOS导通。

XFG1信号发送器低电平时,Q2关闭,由于Q2关闭,Q1的b极没有回路,Q1关闭,这时Q4的b极有R3这个回路,所以Q4导通,MOS的G极放电。MOS关闭。

高端MOS驱动:分立元件搭建自举电路

仿真了一下在100K下的波形,绿色为MOS的G极到S极的波形,红色是MOS的S到地的波形。就仿真的结果来看自举的部分还是不错的。

  审核编辑:汤梓红

(责任编辑:admin)
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