场效应管是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常，场效应管的主体与源极端子相连，从而形成三端器件，例如场效应晶体管。场效应管通常被认为是一种晶体管，并用于模拟和数字电路。

场效应管的一般结构如下所示：

场效应管的作用

场效应管最重要的一个作用是作开关作用，作开关时候多数应用于各类电子负载控制、开关电源开关管，MOS管最显著的特性是开关特性好，对于NMOS来说，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况，也就是所谓的低端驱动，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而对于PMOS来说，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况，也就是高端驱动。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

如下图是某开关电源其中一部分电路图，在这里的Q1场效应管用作PWM调制器或开关稳压控制器的功率开关管。

放大作用：场效应晶体管可应用于放大。

场效应晶体管可以用作可变电阻。

场效应晶体管可以方便地用作恒流源。

场效应管作为电子开关

场效应晶体管可以用作电子开关。

阻抗变换：场效应晶体管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

综合整理自头条号大年君、头条号清水夏日、头条号李工谈元器件