宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月8日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047µF到10µF,可在+105℃高温下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7个电压等级。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流,寿命超过30万小时,可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰,这种尖峰是电磁干扰(EMI)的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器,以及风力机逆变器、中功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。Vishay还提供结构长度58mm的器件,用于高功率IGBT模块。
缓冲电容器的ESR低至1.5mΩ,容量公差±5 %,引线间隔的每毫米自感为0.7nH,RMS电流高达20A。器件采用阻燃塑料外壳和环氧树脂密封,无铅、无卤素,符合RoHS指令。
MKP386M现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十周到十二周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。
同样是闪存混用,为什么三星S8没事,华为P1...
时间:2026-03-06
同样闪存门苹果没事儿!华为却招到重击!三...
时间:2026-03-06
华为p10疏油层事件、闪存门事件都能忍,但充...
时间:2026-03-06
设计一个自己专用处理器该怎么完成?
时间:2026-03-06
什么是闪存?华为p10闪存门过后,华为高管透...
时间:2026-03-06
cpu的基本结构及其工作原理
时间:2026-03-06
cpu功能解析,cpu功能作用与其工作过程
时间:2026-03-06
如何消除红眼现象/调节对比度/修整图象
时间:2026-03-06
精密运放如何在功率较低的情况下实现快速多...
时间:2026-03-06
物联网在医院的运用方案
时间:2026-03-06
玻璃釉电容器的结构与特点
时间:2026-03-05
关于STM32WL LSE 添加反馈电阻后无法起振的...
时间:2026-03-05
电阻的标称阻值和允许偏差
时间:2026-03-05
浅谈高压贴片电容分类与性能参数
时间:2026-03-05
聚四氟乙烯电容器的结构与特点
时间:2026-03-05
漆膜电容器的结构与特点
时间:2026-03-05
复合介质电容器的结构与特点
时间:2026-03-05
瓷介电容器的结构与特点
时间:2026-03-05
电解电容器的结构与特点
时间:2026-03-05
电解电容的型号
时间:2026-03-05