一种具有NR/SS引脚的NMOS LDO

降噪

除选择低噪声质量的LDO外，您还可以采用几种技术来确保您的LDO具有最低噪声特性。这些技术包括使用降噪和前馈电容器。我将在下一篇博文中探讨使用前馈电容器。

降噪电容器

TI的许多低噪声LDO系列都具有专门用作“NR/SS”的专用引脚，如图 3 所示。

图 3：具有NR/SS引脚的NMOS LDO

该引脚的功能有两个：它用于过滤来自内部参考电压的噪声，及降低启动过程中的压摆率或启用LDO。

为该引脚添加一个电容器(CNR/SS)，就可以形成具有内部电阻的RC滤波器，有助于把由参考电压生成的无用噪声分流。由于参考电压是噪声的主要来源，增加电容可推送左侧低通滤波器的截止频率。图 4 显示了该电容器对输出噪声的作用结果。

图 4：TPS7A91噪声频谱密度 vs. 频率和CNR/SS

如图 4 所示，更高的CNR/SS值会产生更理想的噪声值。当达到某个点后，再增加电容值也不再能够降低噪声。其余噪声来自误差放大器和FET等。

增加电容器还在启动期间形成了电阻电容延迟，这将使输出电压以较低速率上升。当输出或负荷中出现了大容量电容，有益的做法是降低启动电流。

等式 1 中启动电流等于：

为降低启动电流，您必须减小输出电容或降低压摆率。幸好，CNR/SS 有助实现后者，如图 5 TPS7A85所示。

图 5：TPS7A85的启动 vs. CNR/SS

如您所见，增加CNR/SS值会延长启动时间，可防止出现尖峰启动电流和潜在可能触发电流值达到极限的情况。

低噪声LDO对于确保净化直流电源至关重要。选择具有低噪声属性的LDO和合理利用都不容忽视，这样才能保障尽量净化的输出。

审核编辑：汤梓红