电工基础知识_电工技术-电工最常见电路移动版

妙趣横生的电子小知识：初识晶体管

  本系列连载将介绍 电力电子 相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又拿...

AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

1. 栅漏电分析 关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种器件结构的关态栅漏电曲线，...

用1枚MOSFET进行PWM驱动时的电机电流和再生电流

本文将探讨使用1枚 MOSFET 对有刷直流 电机 进行PWM驱动时的电机 电流 和再生电流。有多种方法可以实现电机的PWM驱动，其中包括通过在电机和接地间插入MOSFET来实现开关的简单方法。使...

降压型DCDC转换器IC评估板“BD9G500EFJ-EVK-001”测评

※文章转载自 电子 产品世界，作者为mamneng 大家好，我是mamneng，非常幸运通过 罗姆 和电子产品世界的筛选拿到评估板。 在开始正文内容之前，请允许我先介绍一下罗姆集团。 罗姆...

降压型DCDC转换器IC评估板“BD9G500EFJ-EVK-001”测评

※文章转载自 电子 产品世界，作者为mamneng 大家好，我是mamneng，非常幸运通过 罗姆 和电子产品世界的筛选拿到评估板。 上一期，为大家带来了BD9G500EFJ-EVK-001的开箱。这期，将为大家...

AlN钝化器件电流崩塌分析

电流 崩塌和关态栅漏电一样，是制约GaN基HEMT器件发展的非常重要的因素之一，一方面表现为，在脉冲测试条件下漏极输出电流与直流特性相比大幅减小；另一方面表现为，在 微波 大功...

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

1.器件结构与工艺 绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1...

MOS管的米勒效应：如何减小米勒平台

从多个维度分析了米勒效应，针对Cgd的影响也做了定量的推导，今天我们再和大家一起，结合米勒效应的 仿真 ，探讨下如何减小米勒平台。 搭建仿真 为了验证MOS管的米勒效应，我们简...

具快速瞬态响应和超低EMI辐射的单片式65V、8A降压

Ying Cheng LT8645S 和 LT8646S 是65 V同步降压型单片式稳压器，支持8 A输出。它们的Silent Switcher® 2架构可实现优异的EMI性能，这与电 路板布局无关。LT8646S具有RC外部补偿功能电路，以优化瞬态...

通过任意长度的铜线控制远端负载的电压

Philip Karantzalis 在功率分配系统中，由于稳压器和负载之间的电缆 / 导线压降而产生稳压问题是很常见。导线电阻、电缆长度或负载 电流 的任何增加都会使配电线上的压降增大，从而扩...