电工基础知识_电工技术-电工最常见电路移动版

  • 晶体管三种基本接法比较

    日期：2023-09-04 11:36:33 点击：60 好评：0

    在 电子 电路中，放大的对象是变化量，放大的本质是在输入 信号 的作用下，通过有源元件（ 晶体管 或场效应管）对直流 电源 的能量进行控制和转换，使负载从电源中获得的输出信...

  • 车规级零漂移运算放大器GS8331Q1产品特性

    日期：2023-09-04 11:36:30 点击：108 好评：0

    产品 介绍 聚洵G ai nsil-致力于提供高品质高性价比的国内 模拟 信号 链产品，近日推出车规级零漂移 运算放大器 GS8331Q1.其提供350 kHz的带宽、轨到轨输入和输出以及1.8V至5.5V的单 电源...

  • 三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET

    日期：2023-09-04 11:36:30 点击：53 好评：0

    News Releases 三菱 电机 成功开发 基于【新型结构】的SiC- MOSFET 新型 芯片 结构能有效防止浪涌 电流 集中在特定芯片上 图1 新开发的芯片结构（上:芯片截面；下:并联芯片） 三菱电机集团...

  • TVS二极管保护电路原理和PCB布局技巧

    日期：2023-09-04 11:36:30 点击：52 好评：0

    对于 工程师 来说，浪涌保护不仅仅是选择合适的 电源 板或者拔下几根电缆，主要涉及在  PCB 布局中放置瞬态保护组件并应用明确的接地策略 。 TVS 二极管 是用于保护PCB布局中组件的...

  • 汽车电子系统中关于TVS二极管的应用

    日期：2023-09-04 11:36:29 点击：43 好评：0

    在 汽车电子 中， CAN 通讯口、 电源 入口，往往可能因为闪电雷击、发动机点火脉冲而遭受很高的尖峰脉冲电压，如果能量不能被吸收，高电压就可能对设备内部造成永久性损害。 一般...

  • 纳微半导体GeneSiC碳化硅MOSFETs为高频充电桩实现最

    日期：2023-09-04 11:36:28 点击：38 好评：0

    纳微半导体GeneS iC 碳化硅 MOSFETs 为埃克塞德工业物流车辆的高频 充电桩 带来更高效率和更优温控表现 美国加利福尼亚州托伦斯，2023年5月18日讯 —— 纳微半导体（纳斯达克股票代码：...

  • 差动放大电路的结构和静态工作点分析

    日期：2023-09-04 11:36:27 点击：87 好评：0

    差动放大电路 由于温度变化而引起的电压漂移是零点漂移的主要成分，用热敏元件进行温度补偿不失为一种解决温漂的好办法。受补偿思想启发，用2只型号和特性都相同的 晶体管 来进...

  • 多级放大电路中零点漂移产生与抑制措施

    日期：2023-09-04 11:36:27 点击：53 好评：0

    多级放大电路         在多级放大电路，尤其是直接 耦合 多级放大电路中，当放大电路输入 信号 为零（即没有交流输入）时，由于受温度变化、 电源 电压不稳、元件参数变化等因素...

  • IGBT模块寿命评估实验依据

    日期：2023-09-04 11:36:25 点击：39 好评：0

    01 IGBT 模块概述 随着高速动车组列车、电动汽车及其 充电桩 、 5G 通信 设备、交直流混合配电网、柔性直流输电、 新能源 发电装置等这些新兴 科技 的迅猛发展，始终离不开 电力电子...

  • 差动放大电路如何抑制零点漂移

    日期：2023-09-04 11:36:25 点击：51 好评：0

    差动放大电路 从直流分析，我们看到差动放大电路可视为两个完全相同的共射极放大电路以对称形式构成。这种特殊的结构如何抑制零点漂移呢？与它的对称结构有关，请看： 1、差模...

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