并联稳压管稳压电路
电子元件2026-03-06
并联稳压管稳压电路 稳压电路如图所示。该电路能够稳定输出电压。当VI或RL变化时,电路能自动地调整IZ的大小,使R上的压降RIR改变,达到使输出电压VO(VZ)基本恒定的目的。例如,当VI恒定而RL减小时,将产生如下的自
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变容二极管 二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外,还与外加电压有关。结电容随反向电压的增加而减小,这种效应显著的二极管称为变容二极管。
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光电二极管 随着科学技术的发展,在信号传输和存储等环节中,越来越多地应用光信号。采用光电子系统的突出优点是,抗干扰能力较强、传送信息量大、传输耗损小且工作可靠。光电二极管是光电子系统的电子器件。
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激光二极管 激光二极管的结构图如图(a)所示。 激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体,其端面经过抛光后具有部分反射功能,因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下,LED结发射出光来
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二级管的分类及特性 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的.与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内.包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如
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稳压二极管在工作中稳压原理和故障特点 压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。
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片状二极管的识别 二极管的类别不同在电路中的作用也不同。普通二极管用于开关、整流、隔离;发光二极管用于键盘灯、显示屏灯照明;变容二极管是一种电压控制元件,通常用于压控振荡器(VCO),改变数码电子产品
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激光二极管的结构及性能特点 在VCD机中,半导体激光二极管是激光头的核心部件之一,它大多是由双异质结构的镓铝砷(AsALGA)三元化合物构成的,是一种近红外半导体器件,波长为780~820 nm,额定功率为3~
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变容二极管的常见故障 变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。 变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频
二极管组件的结构及性能特点
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二极管组件的结构及性能特点 二极管组件由2只或2只以上的二极管组合而成,主要是为了缩小体积和便于安装。 常用的二极管组件有整流桥堆、高压硅堆及二极管排等。 (一)整流桥堆 整流桥堆一般用
变容二极管及其作用
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变容二极管及其作用 1、变容二极管的作用变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 图4-17是变容二极管的电路图形符号。
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可变电抗二极管 又称\"变容二极管\"。是一种利用pn结电容(或接触势垒电容儿与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管。所用材料多为硅或砷化嫁单晶,并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,则结电容
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快速关断(阶跃恢复)二极管 它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是:在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并在PN结附近具有电荷存贮效
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江崎二极管 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下
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雪崩二极管 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地
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PIN型二极管 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过 100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡
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