电子元件2026-03-05

1 米勒效应 之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台，下面我们来详细地聊一聊。

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4、Rdson是个什么东东？ Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值。在上文中我们介绍了MOSFET在导通后，Rds(ON)的值不是一成不变的，主要取决于VGS的值。Rds(ON)的值一般都是在mΩ级别，当MOSFET电

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简介： EMI的干扰和认证在整个电力电子行业应用中都是一个痛点，对于Buck型变换器而言，由于其输入电流是断续的，并且具有较高的di/dt，如果没有输入电容，纹波电流完全由上一级的供电电源提供，PCB板上的寄生电阻和

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本篇主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。参数列表如下所示

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一，降压型（BUCK）拓扑 通过对上一章电源转换器历史的学习，胖友们已经知道了要提升电源转换效率，必须使电源转换器本身的消耗尽量小：1，晶体管要工作在放大区改成工作在饱和区（开关状态）；2，为了防止电容器浪

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昨天关于跨导Gm的结论还是有点粗糙，应该说跨导很复杂，和沟道的特性有关系；需要分开讨论，我们先试着了解导电沟道电流是怎么算的：

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二，开关电源中的电感器 开关电源主要由：开关管（BJT/MOS管），续流二极管（肖特基二极管/快恢复二极管），电感器以及电容器组成；关于这些元件的基本特性，我们在之前的各个专题中已经学习了，当然各位胖友们可能

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电子设备已经成为了日常生活中不可缺少的一部分，而随着人们对电子设备的需求不断上涨，近些年我国模块电源市场规模总体也不断呈现增长的趋势。

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在光伏电池片的生产过程中，因其本身的物理特性，传统的电感式接近开关无法检测。同时，在硅片未制绒前，其具有高亮、高反光特性，在制绒后，它又吸光，这使常规的光电传感器在一定程度上无法稳定的检测。因此，电

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一、动态功耗 ①翻转功耗（Switching Power） 翻转功耗是由充放电电容引起的动态功耗，其推导过程很简单，但是这个最终的结果却十分重要。

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这是一款输入宽电压120-277V  60HZ，输出48V，273mA的电源，使用美芯晟MT7933，采用Buck拓扑结构。 

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前言 RS485总线具有结构简单、通信距离远、通信速度快、成本低等优点。广泛应用于工业通信、电力监控、仪器仪表等行业。由于工业控制环境恶劣，通信线路中会出现更多的干扰耦合，从而影响RS485总线的可靠性，甚

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引言 MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

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一 前言 随着科学技术的发展和电子产品种类和数量不断增多，造成了日益复杂的电磁环境。为了控制电子产品的电磁辐射以及在电磁环境下能够稳定工作，世界各国组织和机构出台了许多电磁兼容（EMC）标准，为了能满

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1. 概要 IGBT作为大功率电力电子器件广泛应用于各种工业设备中。为了满足安全要求，这些设备在电气设计和生产过程中要遵循相应的规范。耐压测试是对安全设计最为重要的检测和评估手段，又被称为高压测试，隔离测试，

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射频电路的调试工作量非常大，几乎所有电路都需要调试，为了满足整机指标要求，减少盲目性，确保电路的一致性，提高产品的可生产性，需要对调试环境、调试方法、调试要求进行规范，所有项目，所有作业人员，应该按本

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