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动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性(2)


I d = C gd · (dV dg / dt) + C ds · (dV ds / dt) (9)
电容和跨导的非线性,分别是 V ds和 V gs的函数,是通过将 MATLAB 曲线拟合工具应用于每个器件数据表中显示的值而获得的。
实验测试
用于执行测试的设置如图 2 所示,其中红色虚线代表被测器件(裸芯片或直接键合铜)。在动态测试过程中,可以改变源极端子在PCB上的位置,选择不同的公共源极电感值(S 1、S 2、S 3或S 4)而不改变环路电感。相同的电路可用于静态测试。


动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性图 2:测试电路示意图
使用不同的温度值进行静态测试,观察 MOSFET 的跨导如何在较高温度下略微增加。使用不同的电感值(图2中的L s1、L s2和L s3 )进行动态测试,得到的实验结果具有较高的精度,证实了模型的有效性。在图 3 中,我们可以看到动态测试波形(800V/40A,30°C)分别表示开启和关闭状态。


动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性图 3:开启和关闭动态测试波形
结论
文章提出的分析模型通过数值计算方法描述了MOSFET的开关行为,考虑了寄生电感和跨导和电容的非线性。为了检查温度产生的影响,测量了不同结温的传递特性,从而通过曲线拟合获得图形趋势。动态测试证明了该模型在预测开关行为方面的高精度。


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