电工基础知识_电工技术-电工最常见电路移动版

图 1：使用的两个 MOSFET SiC 和 GaN FET 器件是 UnitedSiC 的 UJ4SC075006K4S 和 Transphorm 的 TP65H150G4PS。
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常强大，导通电阻 (R DS(on) ) 仅为 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分。该组件基于“级联”电路的独特配置。带 R DS(on)不到竞争对手的一半，该器件的短路耐受时间为 5 µs。样品采用 TO-247-4L 封装，具有四个引脚，部分采用 TO-247-3L 封装，具有三个引脚。共源共栅技术提供了宽带范围技术的优势，例如高速、高温运行时的低损耗、出色的稳定性以及集成 ESD 保护的鲁棒性。对于开关应用，集成二极管比竞争技术快得多。其应用包括电动汽车的驱动和牵引、车载和非车载充电器、单向和双向电源转换器、可再生能源逆变器以及所有类型的转换器。第二个 TP65H150G4PS 器件是一个 650-V、150-mΩ GaN 样品，是一个常关元件。它将高压 GaN HEMT 技术与硅 MOSFET 的低压技术相结合，提供高度可靠的运行和卓越的性能。两种功率器件最重要的特性如下表所示。



静态状态下的效率和 R DS(on)
以下仿真用于评估和检查电源电路在静态状态下的效率值，并验证器件开启时漏源通道的电阻。图 2 中的图表显示了处于开启状态的两个正在检查的器件，后者在栅极上用 20 V 的直流电压固定。对于 50-Ω 负载，系统电源为 500 V。下表显示了测量数据：



两个组件的 R DS(on)的计算是在器件开启状态期间通过执行以下等式进行的： (责任编辑：admin)