效率计算也非常简单，用于评估系统中有利可图的能源使用量，以及在未使用热量中损失的差异：
图2：两种器件在静态模式下的通态工作原理图
动态状态下的效率和功率损耗
动态机制是最重要的，因为在这里对组件进行了测试。由于 EMI、功率损耗、连接的任何感应负载以及组件本身的切换，系统会承受很大的压力。图 3 显示了 PWM
电源的一般示例，在这种情况下，其频率约为 500 kHz。PWM 信号的产生是通过两个单片 P 和 N 沟道 MOSFET
进行的。通过具有以下特征的铁氧体磁珠来降低某些类型的噪声：
· 电感：0.38 µH
· 串联电阻：0.371Ω
· 并联电阻：1,600 Ω
· 并联电容：0.78 pF
· 到 100 Mhz 的阻抗：266.5 Ω
· 最大限度。阻抗：1,598.1 Ω
· 最大频率 阻抗：292兆赫
图 3：动态状态下两种器件的工作原理图
技术正在与停电作斗争(图 4)。组件的非理想特性在开关时刻精确地增加了它们的耗散功率。
组件的输入和输出容量，以及它的 R DS(on)和其他元素的存在，都会导致功率损耗，幸运的是，功率损耗每天都在改善。
以下是两个设备运行所达到的效率：
· 碳化硅场效应管效率：98.24%
· GaN FET效率：99.02%
这些都是极高的效率，允许积极使用几乎所有的能量，同时保持 MOSFET 的低工作温度。
事实上，导通状态下的 V ds 值非常低，电子开关的表现几乎完美。
图 4：两种设备的功率损耗
仅当使用的两个组件的相关 SPICE 库可用、可从 Internet 下载并包含以下标头时，才能进行仿真：
.subckt UJ4SC075006K4S nd ng ns nss
和
.subckt TP65H150G4LSG 301 302 303
结论
设计人员应牢记，使用功率器件进行的电子仿真可能与实际情况大相径庭，尤其是在系统包含电感和电容元件的情况下。
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