电子元件2026-03-06

01 栅极驱动部分 常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中，

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电子元件2026-03-05

01 栅极驱动部分 常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中，

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电子元件2026-03-05

01 栅极驱动部分 常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中，

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电子元件2026-03-05

01 栅极驱动部分 常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中，

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电子元件2026-03-05

为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下：

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电子元件2026-03-05

1、MOS管简介 功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱

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电子元件2026-03-05

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。 有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：

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电子元件2026-03-05

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电工基础2026-03-05

单管集电极驱动电路 LD接在半导体三极管BG的集电极上，LD的预偏置电流IB由电阻RB支路提供。BG工作在导通-截止的开关状态。当Vin为“0”码时，则BG截止，LD上只有电流IB流过，故LD不发出激光；当Vin为“1”码时，则B

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电工基础2026-03-05

射极耦合电流开关型LD驱动电路 Vin、、Vin、BG1、BG2和LD的工作关系 图中，半导体三极管BG1、BG2通过射极电阻Re耦合形成电流开关。BG1、BG2轮流工作在导通-截止的开关状态。当Vin为“0”码时，则BG1导通、BG2截止

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电工基础2026-03-05

射极耦合电流开关型LED驱动电路 BG1、BG2形成射极耦合电流开关，工作在导通、截止状态.

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电工基础2026-03-05

1024位CCD驱动电路

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电工基础2026-03-05

1024位CCPD配套驱动电路

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电工基础2026-03-05

4096位CCD驱动电路

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电工基础2026-03-05

50A 150V PWM直流驱动电路

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电工基础2026-03-05

使用集成芯片的步进电机驱动电路

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