电子元件2026-03-05

当MOS管关断之后，在DCM工作条件下的Vds电压变化展示如下图所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是开关电源的输入电压，而Vor就是反射电压。

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16.1 容性终端的反射 所有实际接收器都有门输入电容，一般约为2pF。此外，接收器的封装信号引脚与返回路径之间还会有约1pF的电容。这样，如果传输线末端排列着3个存储器件，则负载可能为10pF左右。

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1 容性分支在传输线中间引起的反射影响 附着在走线中间的测试点 ， 通孔， 封装引线，甚至一小段分支，作用就像一个集总电容 。下图所示就是一个电容加在走线中间时，发射电压和反射电压的仿真结果。

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当信号进入射频后，阻抗匹配变得十分重要，差的匹配造成的反射将严重影响信号质量，甚至可能造成误操作，因此必须以传输线理论进行分析，即印制电路板上每条连线都有其特性阻抗。在设计中，工程师通常利用时域反射法

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15.1 多长需要端接 最简单的传输线电路由近端驱动器、短的可控阻抗互连和远端接收器组成。如前所述，信号将在远端高阻抗开路端和近端低阻抗驱动器之间往返反弹。当导线很长时，多次反射会引起信号完整性问题，一般将

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1 电感性间断引起反射及时延 几乎每种增加到传输线上的串行连接都伴随有环路电感 。用于改变信号层的通孔，串联端接电阻，连接器 ， 等都有额外的环路电感。

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