科普一下先进工艺22nm FDSOI和FinFET的基础知识
电子元件2026-03-05
传统工艺的挑战 Leakage/Power consumption issue泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一个主要问题。从下图看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,leakage power仍然在总功耗中占据主导地位。因此,降低芯片
电容器基础知识科普(一)
电子元件2026-03-05
01 PART 是什么 电容器(英文:capacitor,用符号C表示)是将电能储存在电场中的被动电子元件,顾名思义它是一个装载电荷的容器,在线性时不变系统中有: ,模型如图所示
电容器基础知识科普(一)
电子元件2026-03-05
01 PART 是什么 电容器(英文:capacitor,用符号C表示)是将电能储存在电场中的被动电子元件,顾名思义它是一个装载电荷的容器,在线性时不变系统中有: ,模型如图所示
电容器基础知识科普(二)
电子元件2026-03-05
02 PART 做什么 1 滤波电容 电容作为滤波功能使用是电容的一项重要特性。滤波功能利用的是电容的阻抗随频率变化的特性(前面说过电容是一个跟电阻差了90度并且随着频率变化的器件),再利用电阻篇讲的 分压原理 ,就
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