电子元件2026-03-05

现代电源转换设备一般会采用开关技术，进行测量时需要特殊处理，包括使用差分探头。这是因为，与之前采用模拟技术的设备不同，这类设备不借助变压器来降低线电压，而是使用整流后线电压作为直流总线电源（图 1）。这

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MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。MOSFET的简化结构如下图所示：硅片表面生长一层薄薄的氧化层，其上覆盖多晶硅形成门极，门极两侧分别是N型注入的源

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MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。

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4、Rdson是个什么东东？ Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值。在上文中我们介绍了MOSFET在导通后，Rds(ON)的值不是一成不变的，主要取决于VGS的值。Rds(ON)的值一般都是在mΩ级别，当MOSFET电

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本篇主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。参数列表如下所示

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引言 MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

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目前，许多企业在SiC MOSFET的批量化制造生产方面遇到了难题，其中如何降低SiC/SiO₂界面缺陷是最令人头疼的问题。

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1、MOS管简介 功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱

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SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且，通过选取合适沟道

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导读 MOSFET是工业上应用最成功的固态器件，是构成高集成度的基本单元，而MOS电容器是MOSFET的核心，理解该电容器的特性是理解MOSFET工作原理的基础，因此本文主要对MOS电容器进行简单介绍，希望可以对此有一个

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由于存在物理学定律，电阻、电容和电感将继续成为挑战。我们对此无能为力，所以自热离子真空管问世以来，电子设计人员就学会了通过开发巧妙的电路拓扑来解决这些问题。事实证明，物理学就是物理学，过去适用于真空

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负端5v2A同步整流芯片U7710增速增长 同步整流芯片的主要应用市场，预计未来消费将以年均38.1%的增速增长，至2026年市场达79.64亿元。虽然下游手机市场总体增量放缓，但同步整流芯片的渗透率仍在上升，增长空间巨

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超级电容器自动平衡 (SAB) MOSFET 系列适合工业应用，以调节和平衡泄漏电流，同时最大限度地减少用于平衡两个或多个串联堆叠的超级电容器电池的能量。这些器件面向需要 –40° 至 85°C 工作温度范围的工业级储能应

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为什么有时候需要MOSFET栅极电阻？它应该是什么价值？它应该在下拉电阻之前还是之后？事实上，有许多电路是在没有栅极电阻的情况下工作的，但添加一个可以防止一些潜在的问题。1000Ω很可能会起作用。在下文中，附上

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MOSFET器件是数字集成电路的最小单位，因为MOSFET的开关特性和输出曲线特性，由PMOS和NMOS组成的CMOS门电路，则为数字集成电路最基本的电路结构。而想很好地理解CMOS电路结构，必须先熟悉CMOS反相器电路及其设计和分

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　　L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。

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