基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展
电子元件2026-03-09
近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）器件。与相比之下，单晶AlN基器件的热阻抗降至AlN/蓝宝石基器件的1/3（
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